第九十五章 狂热(1/2)
一个又一个的零件被打磨了出来。
得心应手地操控着小黑，工业加工方面，卫明不断创造出精度的极限。
只要先制造出一批精确度达到0.1纳米的“尺子”。
再根据这些尺子，加工所需要的零件，建立一套可参考对照的精准体系。
如果出现累积误差，就手动修正一番，让整体的误差范围不会超过1纳米。
卫明甚至会亲自参与到耗费时间极多的“组装”过程中，利用小黑的扫描半径，其他操作手至少得半小时才能装好的一个零件，他3分钟内就能实现精确安装。
并修正了多处地方的安装误差。
整个系统的稳定性大大提高。
让12个精密的子系统，逐渐变成一个能进行精确联动的大系统。
接下来的半个月。
光刻机研发部，刷新一个又一个数据记录，每天都有爆发式的欢呼，从厂房里发出。
“锡滴释放频率每秒5万次，持续工作33分27秒。”
“每秒5万次，持续工作38分15秒！”
“每秒5万次，持续工作47分48秒！”
“每秒5万次，持续工作59分52秒……接近一个小时，光源系统磨合到完美程度，这是不可能被超越的一个极限！”
不过还有一个极限，不是不能突破。
“既然我们的光源系统稳定性这么高，索性，我们不做复杂麻烦的‘纠偏系统’算了！再往里加入一组光源，构成‘双光源系统’，光刻机正常使用情况下，只让一组光源进行工作，每次工作半个小时，另一组光源进入休息调整状态，半小时后接替工作，轮流换班，减少累积误差。”
“此外这台机器还有一个‘狂暴模式’，那就是让两套光源系统，同时投入工作，每秒10万粒的锡滴，20万次的击打，产生超过1250瓦能量强度的极紫外光，这个光强是艾思迈光刻机250瓦的5倍之高，比普通DUV光刻能量也强悍的多。”
“狂暴模式下，这台光刻机每小时至少能处理600片以上的晶圆，艾思迈他们只能处理125片，我们的效率高出四五倍！”
“而且能量密度越高，光刻出的清晰度、锐利度也越高，这能显著提高芯片的质量和良率，减少多重曝光次数，更容易实现3纳米芯片的制造，帮助我们从开始的7纳米，越过中间的5纳米，快速过渡到最新的3纳米，实现跳跃式的发展！”
“让我国的芯片制程工艺，最短时间内追赶上海外最先进水平！”
蒲伟才的技术团队中，一位名叫罗聪的研究员，提出了一个叫“狂暴模式”的构想。
他这个构想的天才之处，一方面彻底砍掉了“纠偏系统”这个大麻烦。
另一个，“狂暴模式”的种种优势之处，又令人呼吸加重，眼里射出精光。
当然，“狂暴模式”也有缺陷，那就是对散热系统提出了更高的要求，五倍的能量强度，意味着要散去五倍以上的热量。
蒲伟才简单计算一番就得出结果：为防止系统过热，狂暴模式最多只能持续3~5分钟，除非每分钟用掉1万升以上的冷却水，才可能延长些许持续时间。
但就算如此，这个模式依然有巨大的实用价值。
所以包括蒲伟才在内，都支持加入这个模式，再增强系统散热能力，让“狂暴模式”至少能持续10分钟左右。
于是又接下来的半个月-->>
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